SI7489DP-T1-GE3 دیتاشیت

SI7489DP-T1-GE3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SI7489DP-T1-GE3
حجم فایل 86.849 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 13

مشاهده دیتاشیت SI7489DP-T1-GE3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: P Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Vishay Intertech SI7489DP-T1-GE3
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 5.2W;83W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 160nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 100V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 4600pF@50V
  • Continuous Drain Current (Id): 28A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): -
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 41mΩ@7.8A,10V
  • Package: PowerPAK-SO-8
  • Manufacturer: Vishay Intertech

محصولات مشابه